序号

发明名称

专利号

专利类别

1

一种合金纳米管及其制备方法

zl200710304793.6

发明

2

一种L10型超高密度磁性记录金属薄膜的制备方法

zl200810113776.9

发明

3

一种碳纳米管负载钴铂合金催化剂的制备方法

zl200810224481.9

发明

4

一种CuInS₂纳米晶半导体薄膜的制备方法

zl200910236304.7

发明

5

一种气体扩散电极及其制备方法

zl200910237977.4

发明

6

一种2-乙基蒽醌改性气体扩散电极及其制备方法

zl201010103376.7

发明

7

一种用于食盐电解的负载型银碳催化剂及其制备方法

zl201010103379.0

发明

8

一种析氢模板法制备镍及镍基合金一维超结构纳米功能材料的方法

zl201010614407.5

发明

9

一种形状可控金属银纳米粒子批量制备的方法

zl201010614428.7

发明

10

一种高长径比的二氧化锰纳米线的制备方法

zl201010614448.4

发明

11

一种镍纳米粒子负载多壁碳纳米管催化剂制备方法

zl201110022555.2

发明

12

一种微乳液制备四氧化三钴纳米棒的方法

zl201110022561.8

发明

13

一种铜铂超晶格合金纳米管制备方法

zl201110207414.8

发明

14

一种离子膜电解槽的氧气扩散电极的安装及密封方法

zl201110343328.X

发明

15

一种气体扩散电极的明胶造孔方法

zl201110451866.0

发明

16

ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体的的电化学制备方法

zl201210339949.5

发明

17

氧阴极离子膜电解槽及其安装密封方法

zl201210345942.4

发明

18

近零极距氧阴极离子膜电解装置及其应用

zl201210569288.5

发明

19

一种活性阴极及其制备方法

zl201210582965.7

发明

20

一种利用气体扩散电极的新型光电芬顿反应装置

zl201220116931.4

实用新型

21

一种气体扩散电极及其制备方法

zl201280074539.0

发明

22

气体扩散电极及其制备方法

zl201310193984.5

发明

23

炭黑负载镧氧化物纳米晶复合催化剂及其制备方法

zl201310194977.7

发明

24

炭黑负载Rh-Rh₁₇S₁₅催化剂及其制备方法

zl201310740621.9

发明

25

一种负载型四氧化三钴纳米复合催化剂及应用

zl201410003963.7

发明

26

一种掺氮炭黑催化剂及其制备方法和应用

zl201410004416.0

发明

27

一种改性炭黑—LaMnO₃共价复合材料的制备方法及其应用

zl201410004694.6

发明

28

一种负载型锂掺杂四氧化三钴纳米复合催化剂及其制备方法

zl201410531851.9

发明

29

一种非晶态铜铂合金纳米管及其制备方法

zl201410738533.X

发明

30

一种通过改变阴离子实现四氧化三钴形貌可控的制备方法

zl201410758242.7

发明

31

炭载体负载Co₃O₄-Mn₃O₄双金属氧化物复合催化剂及其制备方法

zl201410758259.2

发明

32

一种石墨烯负载铂钴合金纳米粒子复合催化剂及其制备方法

zl201410759227.4

发明

33

具有三维分级多孔结构的钴氮共掺杂炭基氧还原催化剂及其制备和应用

zl201510850949.5

发明

34

一种Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜的电化学制备方法

zl201510967299.2

发明

35

一种窄带隙的Sb₂S₃半导体薄膜的水热制备方法

zl201610190103.8

发明

36

一种片层状硼掺杂有序介孔炭及其制备方法

zl201610139347.3

发明

37

炭黑负载空心铂银合金纳米粒子复合催化剂及其制备方法

zl201510852025.9

发明

38

一种碳纳米管负载钯@钒磷氧复合物核壳纳米粒子及其制备方法

zl201510854572.0

发明

39

一种碳纳米管负载铂-铁超晶格合金纳米粒子及其制备方法

zl201510857841.9

发明

40

一种炭/银/二氧化锰三相复合催化剂及其制备方法

zl201510852071.9

发明

41

SnO₂纳米棒的电化学制备方法

zl201510851254.9

发明

42

一种气体扩散电极及其制备方法

12891307.6

PCT

43

一种气体扩散电极及其制备方法

特原页2015-548134

PCT

44

一种纯相In₂S₃半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法

zl201611152892.2

发明

45

一种多原子共掺杂的多孔炭纳米片电极材料及其应用

zl201710556920.5

发明

46

一种钴锂氧化物与碳黑共混型催化剂的制备及其应用

zl201710123474.9

发明

47

一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

zl201910665920.8

发明

48

一种铁、钴、氮共掺杂炭氧气还原催化剂的制备及应用

zl201710374098

发明

49

一种用作光电催化析氢材料的MoS₂In₂S₃复合催化剂及其制备方法

zl201611191116.3

发明

50

一种基于黄铜带制备高导电多孔铜箔的方法

zl201910987248.4

发明

51

一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

zl2019106659299

发明

52

一种活性阴极及其制备方法和应用

zl2018111285066.4

发明

53

一种用于电催化析氢的纳米管状钴/四氧化三钴基复合催化剂及其制备方法和应用

zl202010046147.X

发明